| 1. |
高解析度 |
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漢民微測的跳躍式掃描 ( LeapNscan ) 模式是對晶圓做靜態掃描，搭配高解析度的電子光學系統來達到業界最高的解析度，最小可使用的檢測像素可達 5 奈米 ( eScan®320xp 機型 )，如此高解析度可以支援 16 奈米及更細線寬的邏輯元件製程之開發工作。由於 eScan 機型的高解析度，檢測中產生的缺陷截圖 ( Patch Image ) 已可以清楚顯示缺陷的位置和型態，所以使用者可以省去一般檢測找到缺陷位置後必經的缺陷拍照確認 ( Review ) 程序，若是有以高解析度進行缺陷拍照確認 ( High Resolution Review ) 的必要時，也可以直接在 eScan 上進行，不必換機，省下使用電子顯微鏡 ( Review SEM Station) 的時間與人力。 |
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| 2. |
靈活的掃描方式 |
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漢民微測的大場電子光學掃描方式賦予使用者最靈活的掃瞄彈性，使用者可以僅針對晶圓上的敏感區域，如靜態隨機存取記憶體 ( SRAM ) 等積體電路的製程關鍵之區域 ( Critical Area : 通常是製程中最容易產生問題的地方 ) 進行掃描，而不用花機台時間在掃瞄晶圓非關鍵區域。此外，在對整片晶圓的晶粒進行取樣檢測並建立資料庫以後 ( WWDS，Whole Wafer Die Sampling )，使用漢民微測的連續式掃描檢測系統，可以在相同或更短的時間內捕捉到缺陷在晶圓上之分布。 |
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| 3. |
高靈敏度 |
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漢民微測的 eScan 系統對於半導體前段製程中缺陷的弱電壓對比 ( weak VC ) 成像，例如 " 接觸貫孔之蝕刻後檢測 " ( Contact AEI ) 影像，有極高的靈敏度。以對晶圓經過 " 鎢插栓接觸孔之化學機械研磨 " ( Contact WCMP ) 程序後之缺陷檢測為例，P 型金屬氧化物半導體元件 ( PMOS ) 之瞎窗以及 N 型金屬氧化物半導體元件 ( NMOS ) 之漏電部位可以被 eScan 系統偵測出來。而N型金屬氧化物半導體元件之瞎窗以及 P 型金屬氧化物半導體元件之漏電部位，也可以在先把經過 " 鎢插栓接觸孔之化學機械研磨程序 " 之晶圓表面佈滿負電荷後偵測出來。由此可見漢民微測的 eScan 系統在 28 奈米及以下低漏電元件之開發與量產有極大的實用價值。 |
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產品製程能力的延伸性 |
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漢民微測新一代 eScan®320xp 電子束缺陷檢測設備 ( E-beam Inspection System ) 具有良好的機台設備的延伸性 ( Extendibility )，即使目前製程技術世代已從 28 奈米微縮至 16 奈米，在客戶端，同一 eScan 機台仍然可以滿足客戶的量產及先進研發需求，這增加了設備的使用效率以及降低了客戶的開發與生產成本。漢民微測客戶不必經常購置新的先進設備，可以使用同一機台來量產與開發新世代的產品。 |
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高度系統匹配性和穩定性 |
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對擁有兩部檢測系統以上的使用者，漢民微測投入了很多的時間，從機台設計、製造及生產現場等層面加強機台間的性能一致性及提高檢測結果的準確度。如今漢民微測的 eScan 電子束缺陷檢測設備已經符合了客戶所期望之同一晶圓廠內，所有的 eScan 檢測機台間，高度的性能一致性和系統穩定性的要求。 |
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